真空鍍膜就是在真空下鍍膜,真空下成膜有很多優(yōu)點:可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞,真空鍍膜減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學反應(yīng)(如氧化等),以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質(zhì)的量,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa,對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質(zhì)量要求很高的場合,則要求壓力更加低。
真空鍍膜的常用方法很多,下面來讓我們一起去了解下:
1、真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。
?。?、陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。
3、真空鍍膜化學氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,獲得沉積薄膜的過程。
?。础㈦x子鍍:實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結(jié)合,兼有兩者的工藝特點。
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